一、实现任务

• 实现Flash地址空间的数据读取。stm32f103c8t6只有20KB 内存（RAM）供程序代码和数组变量存放，因此，针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始），运行一次写入8KB数据，总计复位运行代码4次，将32KB数据写入Flash。并验证写入数据的正确性和读写速率。

二、项目环境

• 软件：STM32CUBEMX,KEIL
• 硬件：stm32f103c8t6开发板，ST-LINK

三、使用cubemx写stm32f103c8t6的内部Flash

• 使用cube生成新的工程过程这里不再过多详细介绍，可参考之前的博客：https://blog.csdn.net/weixin_45970808/article/details/120890299?spm=1001.2014.3001.5501
  这里只是注明一些建工程要注意的地方。

• 时钟配置
  

• SYS配置
  

• 引脚配置
  

• RCC配置
  

• 中断配置
  

• 调整堆栈大：将栈大小设为大于2k,本案例操作flash会用到（此处设置为4k）
  

四、项目实现过程

• 修改main.c文件
  主要是添加写入所需要的控制函数
  
• FlashWriteBuff（）函数：

FlashWriteBuff( DEVICE_INFO_ADDRESS, FlashTest,sizeof(FlashTest) );        // 写入数据到Flash
	
	for(i=0;i<255;i++)
		FlashWBuff[i] = i;
	
  FlashWriteBuff( DEVICE_INFO_ADDRESS + sizeof(FlashTest), FlashWBuff,255 );  // 写入数据到Flash
	FlashReadBuff(  DEVICE_INFO_ADDRESS + sizeof(FlashTest),FlashRBuff,255  );  // 从Flash中读取数
  /* USER CODE END SysInit */

  /* Initialize all configured peripherals */
  MX_GPIO_Init();
  /* USER CODE BEGIN 2 */
	

• 编译
  

• options仿真器设置
  选择要使用的驱动
  
  选择SW模式：
  
  flash download下选择reset and run；
  

• 驱动下载
  

• 调试程序
  

• View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800c000,观察将要修改的flash区间区容：
  

• View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口，将变量FlashWBuff 和 FlashRBuff加入到 Watch 1 观察窗口
  

• View->Periodic Windows Update开启变量自动更新：
  

• 点击F5,全速运行程序，可以看到数组FlashRBuff中内容与数组FlashWBuff中内容一样了：
  

• 同时在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容：
  

五、小结

学习完任务内容，以后基于STM32开发就可以省去一些外部flash或EEPROM了。

参考

STM32 进阶教程 13 – FLASH的读写操作

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原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45970808/article/details/122118902