前言:
PT2001 是一款 SMARTMOS 可编程栅极驱动器 IC,用于汽车应用中的电磁阀控制。典型应用是发动机控制。还支持各种系统配置。
通用架构包括一组可编程微核、用于分立逻辑电平MOSFET的集成高侧(x5)和低侧(x7)预驱动器的组合、注入端检测以及用于诊断和防止外部故障的方法。支持电池电压和升压器电压电平高端配置。该芯片通过SPI总线和一组灵活的直接接口信号与主控制器通信。
此组件的主要特征是:
- 可编程架构:四个专用微处理器内核经过优化,可以较短的延迟时间控制功率 MOSFET。因此,可以在设计和运行时实现高度的灵活性。
- 高集成度:所有接口都设计为使用尽可能少的外部元件。
特性和优势
升压电压高达
80 V
可编程
集成
注射末端
(
EOI
)
测量
功能
输出可配置为
2
组
操作
五个高边/七个低边 预驱动器:
峰值频率
:
100
KHZ
四种可编程转换速率:12.5V/μs至300
V/μs
通过四个
以
6
MHz
频率运行的可编程微内核实现
灵活的
电流曲线管理
自动续流
控制
可编程集成
诊断
:
打开加载
欠压
电压
过流
过热
独立的
DRVEN
引脚,确保
安全
符合
ISO 26262
标准的
开发
用于微码保护
的嵌入式加密
16 位 SPI 控制,带 IRQB 和三个中断 标志
符合 AEC-Q100 标准
36 V 容限数字 IO
应用框图:
应用实例:
1,汽车,卡车,工程车辆的发动机控制
2,汽油直喷(GDI)
3,柴油直喷(DDI)
4,CNG/LNG发动机·
5,可变气门执行器(VVA)
内部结构图:
各个引脚定义:
1,CLK:PT2001的时钟输入引脚,输入频率为1MHz,建议使用单片机的输出一个固定1MHz的方波。
2,DRVEN:驱动使能输入引脚
3,RESET:PT2001的复位引脚,
4,START1:做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(3)使用时时输出Pin
5,START2: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(4使用时时输出Pin
6, START3: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(5)使用时时输出Pin
7, START4: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(6)使用时时输出Pin
8, START5: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(7)使用时时输出Pin
9, START6: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(8)使用时时输出Pin
10, FLAG0: Flag_bus(0)
11, FLAG1: Flag_bus(1)
12, FLAG2: Flag_bus(2)
13,CSB : SPI通讯接口, 片选
14,MOSI:SPI通讯接口, 主出从入
15,MISO:SPI通讯接口, 主入从出
16,SCLK:SPI通讯接口, SPI始终
17,VCCIO:IO的供电,3.3V或5V
18,DBG: Debug 信号或者Flag_bus(12)
19, DGND: 数字地
20, VCC1P5: 1.5V内核供电,不需要外部供电,芯片内部有LDO生成1.5V,只需外部加电容
21,VCC5: 芯片5V供电,需要外部供电
22, OA_1: 电流采样的输出或者Flag_bus(10)
23, OA_2: 电流采样的输出或者Flag_bus(11)
24, AGND:
25,VsenseN1:电流采样1的输入负端
26,VsenseP1:电流采样1的输入正端
27,VsenseN2:电流采样2的输入负端
28,VsenseP2:电流采样2的输入正端
29,VsenseN3:电流采样3的输入负端
30,VsenseP3:电流采样3的输入正端
31,VsenseN4:电流采样4的输入负端
32,VsenseP4:电流采样4的输入正端
33,D_LS6: 低边MOSFET的Drain
34, D_LS5: 低边MOSFET的Drain
35, D_LS4: 低边MOSFET的Drain
36, D_LS3: 低边MOSFET的Drain
37, D_LS2: 低边MOSFET的Drain
38, D_LS1: 低边MOSFET的Drain
39, VBATT: 电池电压,12V或者24V,家用汽车一般为12V,客车和卡车等工程车辆24V供电
40, VCCP:7V电压,12V供电时内部有一个LDO可以输出7V,但如果是24V供电需要关闭内部LDO,外部供电7V。
41, G_LS7:低边MOSFET的Source
42, G_LS6:低边MOSFET的Source
43, G_LS5:低边MOSFET的Source
44, G_LS4:低边MOSFET的Source
45, G_LS3:低边MOSFET的Source
46, G_LS2:低边MOSFET的Source
47, G_LS1:低边MOSFET的Source
48, VBOOST:连接到Boost电压,采样Boost电压
49, B_HS5:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
50, G_HS5:高边MOSFET的Gate
51,S_HS5:高边MOSFET的Source
52, B_HS4:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
53,G_HS4:高边MOSFET的Gate
54,S_HS4:高边MOSFET的Source
55,B_HS3:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
56,G_HS3:高边MOSFET的Gate
57,S_HS3:高边MOSFET的Source
58,B_HS2:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
59,G_HS2:高边MOSFET的Gate
60,S_HS2:高边MOSFET的Source
61,B_HS1:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
62,G_HS1:高边MOSFET的Gate
63,S_HS1:高边MOSFET的Source
64,IRQB:中断输出Pin或Flag_bus(9)
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
作者:ideality0214
用户昵称:电子工匠
来源:CSDN
原文:https://mp.csdn.net/mp_blog/creation/editor/122078561
技术服务: 可提供PT2000/PT2001 微码编程付费服务(QQ 281965723)
版权声明:本文为博主原创文章,转载请附上博文链接!
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原文链接:https://blog.csdn.net/ideality0214/article/details/122078561
前言:
PT2001 是一款 SMARTMOS 可编程栅极驱动器 IC,用于汽车应用中的电磁阀控制。典型应用是发动机控制。还支持各种系统配置。
通用架构包括一组可编程微核、用于分立逻辑电平MOSFET的集成高侧(x5)和低侧(x7)预驱动器的组合、注入端检测以及用于诊断和防止外部故障的方法。支持电池电压和升压器电压电平高端配置。该芯片通过SPI总线和一组灵活的直接接口信号与主控制器通信。
此组件的主要特征是:
- 可编程架构:四个专用微处理器内核经过优化,可以较短的延迟时间控制功率 MOSFET。因此,可以在设计和运行时实现高度的灵活性。
- 高集成度:所有接口都设计为使用尽可能少的外部元件。
特性和优势
升压电压高达
80 V
可编程
集成
注射末端
(
EOI
)
测量
功能
输出可配置为
2
组
操作
五个高边/七个低边 预驱动器:
峰值频率
:
100
KHZ
四种可编程转换速率:12.5V/μs至300
V/μs
通过四个
以
6
MHz
频率运行的可编程微内核实现
灵活的
电流曲线管理
自动续流
控制
可编程集成
诊断
:
打开加载
欠压
电压
过流
过热
独立的
DRVEN
引脚,确保
安全
符合
ISO 26262
标准的
开发
用于微码保护
的嵌入式加密
16 位 SPI 控制,带 IRQB 和三个中断 标志
符合 AEC-Q100 标准
36 V 容限数字 IO
应用框图:
应用实例:
1,汽车,卡车,工程车辆的发动机控制
2,汽油直喷(GDI)
3,柴油直喷(DDI)
4,CNG/LNG发动机·
5,可变气门执行器(VVA)
内部结构图:
各个引脚定义:
1,CLK:PT2001的时钟输入引脚,输入频率为1MHz,建议使用单片机的输出一个固定1MHz的方波。
2,DRVEN:驱动使能输入引脚
3,RESET:PT2001的复位引脚,
4,START1:做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(3)使用时时输出Pin
5,START2: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(4使用时时输出Pin
6, START3: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(5)使用时时输出Pin
7, START4: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(6)使用时时输出Pin
8, START5: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(7)使用时时输出Pin
9, START6: 做Triger 功能使用时是输入Pin,做Flag功能Flag_bus(8)使用时时输出Pin
10, FLAG0: Flag_bus(0)
11, FLAG1: Flag_bus(1)
12, FLAG2: Flag_bus(2)
13,CSB : SPI通讯接口, 片选
14,MOSI:SPI通讯接口, 主出从入
15,MISO:SPI通讯接口, 主入从出
16,SCLK:SPI通讯接口, SPI始终
17,VCCIO:IO的供电,3.3V或5V
18,DBG: Debug 信号或者Flag_bus(12)
19, DGND: 数字地
20, VCC1P5: 1.5V内核供电,不需要外部供电,芯片内部有LDO生成1.5V,只需外部加电容
21,VCC5: 芯片5V供电,需要外部供电
22, OA_1: 电流采样的输出或者Flag_bus(10)
23, OA_2: 电流采样的输出或者Flag_bus(11)
24, AGND:
25,VsenseN1:电流采样1的输入负端
26,VsenseP1:电流采样1的输入正端
27,VsenseN2:电流采样2的输入负端
28,VsenseP2:电流采样2的输入正端
29,VsenseN3:电流采样3的输入负端
30,VsenseP3:电流采样3的输入正端
31,VsenseN4:电流采样4的输入负端
32,VsenseP4:电流采样4的输入正端
33,D_LS6: 低边MOSFET的Drain
34, D_LS5: 低边MOSFET的Drain
35, D_LS4: 低边MOSFET的Drain
36, D_LS3: 低边MOSFET的Drain
37, D_LS2: 低边MOSFET的Drain
38, D_LS1: 低边MOSFET的Drain
39, VBATT: 电池电压,12V或者24V,家用汽车一般为12V,客车和卡车等工程车辆24V供电
40, VCCP:7V电压,12V供电时内部有一个LDO可以输出7V,但如果是24V供电需要关闭内部LDO,外部供电7V。
41, G_LS7:低边MOSFET的Source
42, G_LS6:低边MOSFET的Source
43, G_LS5:低边MOSFET的Source
44, G_LS4:低边MOSFET的Source
45, G_LS3:低边MOSFET的Source
46, G_LS2:低边MOSFET的Source
47, G_LS1:低边MOSFET的Source
48, VBOOST:连接到Boost电压,采样Boost电压
49, B_HS5:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
50, G_HS5:高边MOSFET的Gate
51,S_HS5:高边MOSFET的Source
52, B_HS4:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
53,G_HS4:高边MOSFET的Gate
54,S_HS4:高边MOSFET的Source
55,B_HS3:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
56,G_HS3:高边MOSFET的Gate
57,S_HS3:高边MOSFET的Source
58,B_HS2:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
59,G_HS2:高边MOSFET的Gate
60,S_HS2:高边MOSFET的Source
61,B_HS1:高边MOSFET的Bootstrap,自举电容供电
62,G_HS1:高边MOSFET的Gate
63,S_HS1:高边MOSFET的Source
64,IRQB:中断输出Pin或Flag_bus(9)
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
作者:ideality0214
用户昵称:电子工匠
来源:CSDN
原文:https://mp.csdn.net/mp_blog/creation/editor/122078561
技术服务: 可提供PT2000/PT2001 微码编程付费服务(QQ 281965723)
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