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最近在做微型伺服电机的控制,需要平滑地将电机定位到某个位置。伺服电机、编码器、PCB都是自制的。这里我把整个的流程和遇到的问题记录一下。
目录
硬件设计
这里自制了一个驱动板
(1)MOS管驱动芯片:L6205D
原理图如下:
内部结构:
- L6205自带死区控制,同时集成了MOS管,大大缩小了PCB的体积。
- 有四个MOS管引脚,这里只用到三相,即三个,而该芯片的电流采样引脚为每两个MOS管一个电流引脚,所以这里只能选择单电阻采样。
- 关于死区的定义和死区时间的设置,可以参考我这篇文章:死区时间的分析与设置
我这里的微型伺服电机,最小7V就可以旋转了。而这个芯片最大能承受52V的电压,所以也可以驱动非微型的电机,但此时图中的双肖特基二极管和自举升压电容的封装都要修改。
(2)运放
电流采样需要运放,由于不知道单电阻采样和L6205的输出电流的范围和正负,所以这里把加法电阻R8加上,同理放大倍数不对的话,换一下反馈链路上的电阻R11即可。
(3)电机
这里控制的是一个微型伺服电机,用PROE画的,然后拿去加工、自己充磁。自制的没有编码器,所以还需要做编码器。
(4)磁编码器:TLV493D-A1B6
采用磁感应芯片TLV493D-A1B6,感应电机转子产生的正弦磁场,通过数学公式得出角度,编写算法,这样就自己做出一个磁编码器。该芯片采用I2C通信,由于FOC执行频率很高,所以需要用到DMA。下图是根据磁场获取角度的流程框图。
(5)CPU芯片:STM32F302K8U6
需要用到的引脚有:电机三相的3个PWM引脚、ADC采样1个引脚、I2C通信2个引脚、串口调试2个引脚、LED指示2个引脚、电源、SWDIO、SWCLK。这里不外接晶振了,采用内部晶振。
所以这里没必要用更多引脚的STM32F302R8TX。但MCSDK并不支持STM32F302K8U6,不能使用软件生成代码,所以需要自己移植修改电机库的代码。正好电机库的代码非常乱,即使你没选上的功能,那些函数、结构体都给你加上,这里我从底层做起,一点一点地移植代码。
最终硬件如图所示:
之前画过一个三电阻采样的四层板,元件特别多,高低频分开布线,十分复杂。而这里用了L6205,如图所示,板子体积缩小了不少,二层足矣。
STM32CubeMX配置
首先打开MCSDK(我使用的版本为MotorControl Workbench 5.4.7),选择STM32F302R8TX,生成单电阻采样的代码,大部分都参考这个配置即可。
(1)定时器TIM1
由于L6205自带死区控制和互补输出,所以配置如下:
定时器设置为中央对齐模式。而单电阻采样是一个PWM周期要有两个采样点,这里设置TRGO2触发ADC采样,配置通道5和通道6的上升沿分别进行ADC采样。
生成代码后,程序中的死区时间设置为0,另外根据L6205的手册可知,上升时间设置为250ns。对应下面两个宏定义。
#define SW_DEADTIME_NS 0
#define TRISE_NS 250
(2)I2C
对于磁感应芯片,需要设置I2C为快速模式,还有根据TLV493D-A1B6芯片手册的参数,设置上升时间和下降时间,最后再打开DMA传输。
(3)USART
主要用作上位机调试。这里不打开中断,因为经过后续测试发现,如果其中断优先级比ADC中断要低,则程序很容易进不了中断;如果其优先级比ADC中断要高,则电机的旋转噪声又不太对劲。所以干脆在while循环里读取USART。
(4)ADC
MCSDK生成的FOC程序都为ADC左对齐,这里我设置为右对齐。稍后会有分析。
程序设计
(1)状态机
我的应用中没有过压、过流检测等,不需要用到那么多状态的切换,为了简化代码,这里我仅设置M_INIT和M_TEST两个状态。需要运行的初始化函数,在main函数中初始化电机后依次执行:
R1F30X_TurnOnLowSides(pwmcHandle);
PWMC_CurrentReadingCalibr(pwmcHandle, CRC_START);
R1F30X_SwitchOnPWM(pwmcHandle);
(2)角度校正和计算
①校正
由于编码器是自制的根据磁场感应的角度传感器,电机转子在制作的时候也是随机贴上去的,所以感应出来的角度和电机的电角度有一个固定偏差,这需要校正。
这里我无反馈,设置一个固定电流值,软件循环模拟一个角度值,让电机仅用SVPWM缓慢转一圈,此时磁传感器的值和模拟值的误差即电机的角度偏差。
这个校正值并不是每一个电机都一样的,所以需要保存到Flash中,再接一个EEPROM有些大材小用了,所以利用STM32内置Flash的最后几K存储,这个ST官方有相应例程:STM32F3xx微控制器中的EEPROM模拟。
②计算
电角度是在ENC_CalcAngle函数中计算的,这里我的磁编码器写的算法输出是0~36000,需要乘以系数(65535/36000)然后赋值给int16变量转到-32768~32767范围。
(3)ADC采样
MCSDK生成的代码默认是左对齐的,ADC精度是12位的,也就是左移4位作为电流了。不知道大家是什么情况,但是我的实际测试,单电阻的采样电流是恒大于0的,如图中CH2所示。
但是在获取电流函数中:
void R1F30X_GetPhaseCurrents( PWMC_Handle_t * pHdl, ab_t * pStator_Currents )
直接拿JDR寄存器中的注入结果判断溢出,溢出范围是int16范围,而我采样的电流再左移的话是uint16范围的,所以我这个肯定溢出了。
ST代码这样写的前提是保证无电流时运放有1.65V偏置,然后电流有正有负。不知道大家单电阻是不是有正有负,那我的是正的话干脆就把ADC改为右对齐了。
所以大家看前面我的实物图中,右上角运放电路的加法电阻R8已经去掉了,最开始电压有超过3.3V,所以反馈电阻R11我也改小了。
而在PWMC_SetPhaseVoltage函数中,计算定时器CCR值得时候其实除以了131072或262144,这两个数怎么来的,可以参考我的这篇文章:SVPWM函数PWMC_SetPhaseVoltage解析。它们都是32768的倍数,32768代表的其实就是ADC左对齐,所以电流值就是Q15格式的了,在计算CCR值时要转回Q0格式。但是这里我设置为了右对齐,这里不改这个系数,直接在R1F30X_GetPhaseCurrents函数中将最后计算出的电流左移3位。
当然不做任何修改也可以,后边的PID参数调好就行。
(4)位置环
这里我没有添加速度环,而位置环是通过设定位置和实际位置的误差计算出Iq的参考值。
位置控制其实是根据PID调节的,虽然能到达最终位置,但是中间的加速度太快了,我需要一个平滑的旋转过程。用速度环的话,要考虑刚开始和结束的加速度的限制,所以匀速可能又太慢了,效率低。
最终决定加上S曲线控制位置,但S曲线算法又有不少浮点和除法运算,不太适合再加到FOC上,所以我写了一种定点S曲线查表算法,大概思路就是通过S曲线的方程获取一定数量的浮点数,浮点数转为Q16定点数,用的时候就整数乘法,效率高些,乘完右移16位使用。这是我最终的位置环结构体:
typedef struct
{
PID_Handle_t *PIPos;
int16_t hSetPosition; //设定机械位置
int16_t hStartPosition; //起始机械位置
int16_t hCurPosition; //当前机械位置
int16_t hError; //初始机械位置与目标位置的差
int16_t hMaxTorque; //最大力矩
uint16_t hCurIndex; //当前S曲线表的索引位置
uint16_t hStep; //S曲线调整的时间
uint8_t bIsChanging; //正在调整位置
} PosControl_Handle_t;
最终工程结构如下:
相比由MCSDK生成的默认工程,我一个个文件移植,去掉了不需要用的文件、宏定义和代码。这样其实也便于我理解整个代码结构,也更容易修改代码。
(5)上位机
①TLV493D-A1B6
转子在旋转时,TLV493D会产生X、Y、Z轴的磁场,三个正弦波,可以通过算法求出当前转子的绝对角度。这里也写了一个程序来验证角度的准确性。
②位置环
程序界面很简单,因为我大部分是用JLINK在线仿真,在watch窗口中改变量值调试的。
测试遇到的问题
(1)微型伺服电机电感小
我控制的微型伺服电机电感比较小,我在反Park变换后,对Vα和Vβ乘以一个系数,它才有转矩。出现这种情况实际是位置环的最大转矩限制和位置环PID参数没调好。
同时我发现,电感小的电机甚至可以不用电流采样,让Ia、Ib都恒为0都行,西门子的一款微型电机就是这样做的,这仅适合小电感和反电势小的电机,这里还是位置控制,所以不用采样完全没问题。当然如果有人为外力干扰,电流也会比较大,所以还要加个过流检测。
(2)PID调节
定点PID应该根据电机的不同,先调整hKxDivisorPOW2的大小,否则有可能怎么调参数最后PID输出都溢出。调节时先调好电流环,再调节速度环。
另外我把代码中的wDischarge变量去掉了,它是如果输出超过了限制范围,将超出的范围加到下一次积分项中,个人觉得没有必要。
(3)串口
串口就是和上位机通信用作调试用了,实际测试发现中断执行会卡死,收发不了数据。如果把串口优先级设置的比ADC中断优先级还高,电机性能也会受一些影响,所以最终我放在while循环中读取。
还有数据若发得太快,QT收到时则会有粘包问题,所以还需要设计一个简单的协议。
(4)ADC采样
在初始化ADC完之后校准一下,结果更准确一些。
HAL_ADCEx_Calibration_Start(&hadc1,ADC_SINGLE_ENDED);
演示视频
STM32 单电阻FOC控制微型伺服电机
版权声明:本文为CSDN博主「tilblackout」的原创文章,遵循CC 4.0 BY-SA版权协议,转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接:https://blog.csdn.net/tilblackout/article/details/121863856
最近在做微型伺服电机的控制,需要平滑地将电机定位到某个位置。伺服电机、编码器、PCB都是自制的。这里我把整个的流程和遇到的问题记录一下。
目录
硬件设计
这里自制了一个驱动板
(1)MOS管驱动芯片:L6205D
原理图如下:
内部结构:
- L6205自带死区控制,同时集成了MOS管,大大缩小了PCB的体积。
- 有四个MOS管引脚,这里只用到三相,即三个,而该芯片的电流采样引脚为每两个MOS管一个电流引脚,所以这里只能选择单电阻采样。
- 关于死区的定义和死区时间的设置,可以参考我这篇文章:死区时间的分析与设置
我这里的微型伺服电机,最小7V就可以旋转了。而这个芯片最大能承受52V的电压,所以也可以驱动非微型的电机,但此时图中的双肖特基二极管和自举升压电容的封装都要修改。
(2)运放
电流采样需要运放,由于不知道单电阻采样和L6205的输出电流的范围和正负,所以这里把加法电阻R8加上,同理放大倍数不对的话,换一下反馈链路上的电阻R11即可。
(3)电机
这里控制的是一个微型伺服电机,用PROE画的,然后拿去加工、自己充磁。自制的没有编码器,所以还需要做编码器。
(4)磁编码器:TLV493D-A1B6
采用磁感应芯片TLV493D-A1B6,感应电机转子产生的正弦磁场,通过数学公式得出角度,编写算法,这样就自己做出一个磁编码器。该芯片采用I2C通信,由于FOC执行频率很高,所以需要用到DMA。下图是根据磁场获取角度的流程框图。
(5)CPU芯片:STM32F302K8U6
需要用到的引脚有:电机三相的3个PWM引脚、ADC采样1个引脚、I2C通信2个引脚、串口调试2个引脚、LED指示2个引脚、电源、SWDIO、SWCLK。这里不外接晶振了,采用内部晶振。
所以这里没必要用更多引脚的STM32F302R8TX。但MCSDK并不支持STM32F302K8U6,不能使用软件生成代码,所以需要自己移植修改电机库的代码。正好电机库的代码非常乱,即使你没选上的功能,那些函数、结构体都给你加上,这里我从底层做起,一点一点地移植代码。
最终硬件如图所示:
之前画过一个三电阻采样的四层板,元件特别多,高低频分开布线,十分复杂。而这里用了L6205,如图所示,板子体积缩小了不少,二层足矣。
STM32CubeMX配置
首先打开MCSDK(我使用的版本为MotorControl Workbench 5.4.7),选择STM32F302R8TX,生成单电阻采样的代码,大部分都参考这个配置即可。
(1)定时器TIM1
由于L6205自带死区控制和互补输出,所以配置如下:
定时器设置为中央对齐模式。而单电阻采样是一个PWM周期要有两个采样点,这里设置TRGO2触发ADC采样,配置通道5和通道6的上升沿分别进行ADC采样。
生成代码后,程序中的死区时间设置为0,另外根据L6205的手册可知,上升时间设置为250ns。对应下面两个宏定义。
#define SW_DEADTIME_NS 0
#define TRISE_NS 250
(2)I2C
对于磁感应芯片,需要设置I2C为快速模式,还有根据TLV493D-A1B6芯片手册的参数,设置上升时间和下降时间,最后再打开DMA传输。
(3)USART
主要用作上位机调试。这里不打开中断,因为经过后续测试发现,如果其中断优先级比ADC中断要低,则程序很容易进不了中断;如果其优先级比ADC中断要高,则电机的旋转噪声又不太对劲。所以干脆在while循环里读取USART。
(4)ADC
MCSDK生成的FOC程序都为ADC左对齐,这里我设置为右对齐。稍后会有分析。
程序设计
(1)状态机
我的应用中没有过压、过流检测等,不需要用到那么多状态的切换,为了简化代码,这里我仅设置M_INIT和M_TEST两个状态。需要运行的初始化函数,在main函数中初始化电机后依次执行:
R1F30X_TurnOnLowSides(pwmcHandle);
PWMC_CurrentReadingCalibr(pwmcHandle, CRC_START);
R1F30X_SwitchOnPWM(pwmcHandle);
(2)角度校正和计算
①校正
由于编码器是自制的根据磁场感应的角度传感器,电机转子在制作的时候也是随机贴上去的,所以感应出来的角度和电机的电角度有一个固定偏差,这需要校正。
这里我无反馈,设置一个固定电流值,软件循环模拟一个角度值,让电机仅用SVPWM缓慢转一圈,此时磁传感器的值和模拟值的误差即电机的角度偏差。
这个校正值并不是每一个电机都一样的,所以需要保存到Flash中,再接一个EEPROM有些大材小用了,所以利用STM32内置Flash的最后几K存储,这个ST官方有相应例程:STM32F3xx微控制器中的EEPROM模拟。
②计算
电角度是在ENC_CalcAngle函数中计算的,这里我的磁编码器写的算法输出是0~36000,需要乘以系数(65535/36000)然后赋值给int16变量转到-32768~32767范围。
(3)ADC采样
MCSDK生成的代码默认是左对齐的,ADC精度是12位的,也就是左移4位作为电流了。不知道大家是什么情况,但是我的实际测试,单电阻的采样电流是恒大于0的,如图中CH2所示。
但是在获取电流函数中:
void R1F30X_GetPhaseCurrents( PWMC_Handle_t * pHdl, ab_t * pStator_Currents )
直接拿JDR寄存器中的注入结果判断溢出,溢出范围是int16范围,而我采样的电流再左移的话是uint16范围的,所以我这个肯定溢出了。
ST代码这样写的前提是保证无电流时运放有1.65V偏置,然后电流有正有负。不知道大家单电阻是不是有正有负,那我的是正的话干脆就把ADC改为右对齐了。
所以大家看前面我的实物图中,右上角运放电路的加法电阻R8已经去掉了,最开始电压有超过3.3V,所以反馈电阻R11我也改小了。
而在PWMC_SetPhaseVoltage函数中,计算定时器CCR值得时候其实除以了131072或262144,这两个数怎么来的,可以参考我的这篇文章:SVPWM函数PWMC_SetPhaseVoltage解析。它们都是32768的倍数,32768代表的其实就是ADC左对齐,所以电流值就是Q15格式的了,在计算CCR值时要转回Q0格式。但是这里我设置为了右对齐,这里不改这个系数,直接在R1F30X_GetPhaseCurrents函数中将最后计算出的电流左移3位。
当然不做任何修改也可以,后边的PID参数调好就行。
(4)位置环
这里我没有添加速度环,而位置环是通过设定位置和实际位置的误差计算出Iq的参考值。
位置控制其实是根据PID调节的,虽然能到达最终位置,但是中间的加速度太快了,我需要一个平滑的旋转过程。用速度环的话,要考虑刚开始和结束的加速度的限制,所以匀速可能又太慢了,效率低。
最终决定加上S曲线控制位置,但S曲线算法又有不少浮点和除法运算,不太适合再加到FOC上,所以我写了一种定点S曲线查表算法,大概思路就是通过S曲线的方程获取一定数量的浮点数,浮点数转为Q16定点数,用的时候就整数乘法,效率高些,乘完右移16位使用。这是我最终的位置环结构体:
typedef struct
{
PID_Handle_t *PIPos;
int16_t hSetPosition; //设定机械位置
int16_t hStartPosition; //起始机械位置
int16_t hCurPosition; //当前机械位置
int16_t hError; //初始机械位置与目标位置的差
int16_t hMaxTorque; //最大力矩
uint16_t hCurIndex; //当前S曲线表的索引位置
uint16_t hStep; //S曲线调整的时间
uint8_t bIsChanging; //正在调整位置
} PosControl_Handle_t;
最终工程结构如下:
相比由MCSDK生成的默认工程,我一个个文件移植,去掉了不需要用的文件、宏定义和代码。这样其实也便于我理解整个代码结构,也更容易修改代码。
(5)上位机
①TLV493D-A1B6
转子在旋转时,TLV493D会产生X、Y、Z轴的磁场,三个正弦波,可以通过算法求出当前转子的绝对角度。这里也写了一个程序来验证角度的准确性。
②位置环
程序界面很简单,因为我大部分是用JLINK在线仿真,在watch窗口中改变量值调试的。
测试遇到的问题
(1)微型伺服电机电感小
我控制的微型伺服电机电感比较小,我在反Park变换后,对Vα和Vβ乘以一个系数,它才有转矩。出现这种情况实际是位置环的最大转矩限制和位置环PID参数没调好。
同时我发现,电感小的电机甚至可以不用电流采样,让Ia、Ib都恒为0都行,西门子的一款微型电机就是这样做的,这仅适合小电感和反电势小的电机,这里还是位置控制,所以不用采样完全没问题。当然如果有人为外力干扰,电流也会比较大,所以还要加个过流检测。
(2)PID调节
定点PID应该根据电机的不同,先调整hKxDivisorPOW2的大小,否则有可能怎么调参数最后PID输出都溢出。调节时先调好电流环,再调节速度环。
另外我把代码中的wDischarge变量去掉了,它是如果输出超过了限制范围,将超出的范围加到下一次积分项中,个人觉得没有必要。
(3)串口
串口就是和上位机通信用作调试用了,实际测试发现中断执行会卡死,收发不了数据。如果把串口优先级设置的比ADC中断优先级还高,电机性能也会受一些影响,所以最终我放在while循环中读取。
还有数据若发得太快,QT收到时则会有粘包问题,所以还需要设计一个简单的协议。
(4)ADC采样
在初始化ADC完之后校准一下,结果更准确一些。
HAL_ADCEx_Calibration_Start(&hadc1,ADC_SINGLE_ENDED);
演示视频
STM32 单电阻FOC控制微型伺服电机
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