一、RAM

介绍

RAM，即随机存储器或者易失性存储器，因为断电后就失去保存的数据。

分为SRAM和DRAM：

• DRAM，即动态随机存储器，一般用于内存，需要不断地刷新电路，否则数据就消失了。

• SRAM，即静态随机存储器，一般用于CPU中的cache（高速缓冲存储器），不需要不停地刷新电路来保存数据。

特点如下：

下面详细阐述一下区别：

DRAM和SRAM区别

1. 内部结构不同

• SRAM是依靠触发器存储数据，每个存储元（存储1bit数据）需要花费6个晶体管才能存储1 bit 。所以SRAM的集成度低、占用面积大。
• SRAM在读数据时，就是相当于“查看”寄存器的状态，写数据就是改变寄存器的状态。

SRAM存储元结构，如下图：

• DRAM依靠电容存储，每个存储元只需要花1个电容和1个晶体管。DRAM的数据实际上是存在电容里。但是电容放久了，内部的电容就会越来越少，对外不能形成电位的变化。
• DRAM是通过检测是否有电流来确定存储的数据是1或0，有电流（有电荷存储）时为1，无电流为0。

DRAM存储元结构，如下图：

注意：

1.DRAM为什么要不断刷新电路？

当对DRAM进行读操作的时候需要将电容与外界形成回路，通过检测电流变化判断存储元存储的是1还是0（是1就有电荷流出产生电流，是0则没有）。在进行读操作时，如果原来的数据是1，读完之后电荷顺着电流探测电路流走了，就变成0 了，下次再读的时候就不是原来的数据了。所以在读操作结束后需要刷新电路，重新将数据写回DRAM中。

此外，电容上的电荷也只能保存2ms左右，所以即便没有发生读写读写操作，也会对DRAM刷新。

2.多久刷新一次？

因为，电容上的电荷也只能保存2ms左右，计算机一般每隔2ms也都会进行DRAM刷新。

3.每次刷新多少存储单元？

以行为单位，每次刷新一行存储单元。

4.如何刷新？

不需要CPU控制，有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期。

5.什么时候刷新？

2. 寻址方式不同

SRAM的存取速度很快，但是地址线需要更多，这是因为SRAM和DRAM的寻址方式不同：

• SRAM同时发送行地址和列地址，把行地址和列地址拼接起来作为一次读写访问的地址，然后放到地址线上；
• SRAM有可能并没有把行地址和列地址拆分成长度相等的两段，并且行地址线和列地址线都是单独存在；
• DRAM是把行地址和列地址分为长度相等的两段，然后分两次发送；
• DRAM可以地址线复用，也就使用同一跟地址线分别发送行地址和列地址，减少了地址线的使用

二、ROM

ROM，即只读存储器或者叫非易失性存储器，因为断电后数据依然能够保存。

分类如下：

版权声明：本文为CSDN博主「小小verifier」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/SummerXRT/article/details/119223261

一、RAM

介绍

RAM，即随机存储器或者易失性存储器，因为断电后就失去保存的数据。

分为SRAM和DRAM：

• DRAM，即动态随机存储器，一般用于内存，需要不断地刷新电路，否则数据就消失了。

• SRAM，即静态随机存储器，一般用于CPU中的cache（高速缓冲存储器），不需要不停地刷新电路来保存数据。

特点如下：

下面详细阐述一下区别：

DRAM和SRAM区别

1. 内部结构不同

• SRAM是依靠触发器存储数据，每个存储元（存储1bit数据）需要花费6个晶体管才能存储1 bit 。所以SRAM的集成度低、占用面积大。
• SRAM在读数据时，就是相当于“查看”寄存器的状态，写数据就是改变寄存器的状态。

SRAM存储元结构，如下图：

• DRAM依靠电容存储，每个存储元只需要花1个电容和1个晶体管。DRAM的数据实际上是存在电容里。但是电容放久了，内部的电容就会越来越少，对外不能形成电位的变化。
• DRAM是通过检测是否有电流来确定存储的数据是1或0，有电流（有电荷存储）时为1，无电流为0。

DRAM存储元结构，如下图：

注意：

1.DRAM为什么要不断刷新电路？

当对DRAM进行读操作的时候需要将电容与外界形成回路，通过检测电流变化判断存储元存储的是1还是0（是1就有电荷流出产生电流，是0则没有）。在进行读操作时，如果原来的数据是1，读完之后电荷顺着电流探测电路流走了，就变成0 了，下次再读的时候就不是原来的数据了。所以在读操作结束后需要刷新电路，重新将数据写回DRAM中。

此外，电容上的电荷也只能保存2ms左右，所以即便没有发生读写读写操作，也会对DRAM刷新。

2.多久刷新一次？

因为，电容上的电荷也只能保存2ms左右，计算机一般每隔2ms也都会进行DRAM刷新。

3.每次刷新多少存储单元？

以行为单位，每次刷新一行存储单元。

4.如何刷新？

不需要CPU控制，有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期。

5.什么时候刷新？

2. 寻址方式不同

SRAM的存取速度很快，但是地址线需要更多，这是因为SRAM和DRAM的寻址方式不同：

• SRAM同时发送行地址和列地址，把行地址和列地址拼接起来作为一次读写访问的地址，然后放到地址线上；
• SRAM有可能并没有把行地址和列地址拆分成长度相等的两段，并且行地址线和列地址线都是单独存在；
• DRAM是把行地址和列地址分为长度相等的两段，然后分两次发送；
• DRAM可以地址线复用，也就使用同一跟地址线分别发送行地址和列地址，减少了地址线的使用

二、ROM

ROM，即只读存储器或者叫非易失性存储器，因为断电后数据依然能够保存。

分类如下：

版权声明：本文为CSDN博主「小小verifier」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/SummerXRT/article/details/119223261