推挽输出与开漏输出

推挽输出

推挽输出的结构是由两个三极管或者MOS管构成，两个管子始终保持一个处于截止，另一个处于导通的状态。

当左侧的输入为高电平的时候，上面的三极管导通，则输出高电平。

当输入是低电平时，上边的三极管就会截止，这时如果输出端有电压的话，电流就会经过下方的三极管流到地，也就是下方的三极管导通，输出为低电平。

更形象一点可以把低电平设置为负电压，这样在输入低电平时可以明显的用示波器看出，输出的是低电平。

吸电流、拉电流输出、灌电流输出

拉，主动输出电流，从输出口输出电流；

灌，被动输入电流，从输出端口流入；

吸，主动吸入电流，从输入端口流入；

吸和灌的区别在于：吸是主动的，是从芯片的输入管脚流入电流，而灌是被动的，是从芯片的输出管脚流入电流

推挽电路输出高电平时叫推，是拉电流；

推挽电路输出低电平时叫挽，是灌电流；

常用的标识：
　　VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；
　　VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；
　　VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。
　
　　1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
　　2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
　　3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。
　　4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源

开漏输出

将MOS的漏极上拉到高电平上，如果输入端为高电平，MOS导通，则输出连通到地，输出为低电平。

如果输入为低电平，MOS不导通，输出电压被上拉到高电平上。

特点：

半导体三极管是通过基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，场效应管是通过栅极源极之间的电压来控制漏极电流的器件，是电压控制型器件。电压控制的意思就是只有电压，几乎没有电流，这样的效果就是控制电路消耗的功率很小。
开漏输出的特点就是自身没有高电平输出能力，需要借助外部上拉电阻才能真正输出高电平，特性一个明显的优势就是可以很方便的调节输出的电平，因为输出电平完全由上拉电阻连接的电源电平决定。所以在需要进行电平转换的地方，非常适合使用开漏输出。
开漏输出的这一特性另一个好处在于可以实现"线与"功能，所谓的"线与"指的是多个信号线直接连接在一起，只有当所有信号全部为高电平时，合在一起的总线为高电平；只要有任意一个或者多个信号为低电平，则总线为低电平，因为有上拉电阻限制电流大小，所以不会烧坏器件。而推挽输出就不行，如果高电平和低电平连在一起，会导致高低电平直接短路，会烧坏电路。

	推挽输出	开漏输出
高电平驱动能力	强	由外部电源以及上拉电阻提供
低电平驱动能力	强	强
电平跳变速度	快	外部上拉电阻越小，反应越快；反之，越慢；同时电阻小，功耗会增大。
线与	不支持	支持
电平转换	不支持	支持

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