LDO损伤原因之内部二极管过流损伤

1、现象描述
        5V转3.3V电源LDO芯片的输出电压异常，输出电压分布3.5~5V之间。
2、原因排查
        LDO不良来自生产治具烧录和测试PCBA环节，治具内部的MCU烧录器直接为MCU电源引脚提供5V电源（背景：本款MCU实际工作电压为3.3V，厂家推荐烧录电压为5V，采用3.3V烧录良率偏低）。

       查看LDO内部，开关管有并联反向二极管，理论上不会因输出端接高于3.3V的电源而损伤，确认板子在测试治具的状态，LDO电源输入端连接了负载，LDO输出端接5V电源时，从LDO反向流过的电流约250MA，由于LDO输出电压高于指定的3.3V，采样电阻得到的反馈电压过高，关闭了内部的开关管，此时电流均从内部的反向二极管通过，当流经电流大于二极管承受电流值后，二极管出现损伤。

 3、整改方法和验证

       在LDO外部并一个低压差大电流二极管，导通压差务必小于LDO内部二极管，经测定所使用LDO自身二极管压降为0.7V,建议选择锗管，其导致压降低于0.3V，如图中D1。

 4、总结
     当对LDO输出端施加高于LDO额定输出电压时，如果反向电流过大，容易导致LDO内部开关管的反向二极管过流损伤。

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