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GD32F103与STM32F103的区别 2021.6.2

           GD32F103和STM32F103区别介绍

关键词Key words：
GD32F103、STM32F103
摘要Abstract：
本文主要是GD32F103和STM32F103区别进行介绍。

                              目录
  1. 简介
  2. GD32和STM32的区别
    2.1. 内核
    2.2. 主频
    2.3. 供电
    2.4. FLASH差异
    2.5. 功耗
    2.6. 串口
    2.7. ADC差异
    2.8. FSMC
    2.9. 103系列RAM&FLASH大小差别
    2.10. 抗干扰能力
  3. GD32替换STM32注意事项
    3.1. 硬件注意事项
    3.2. 软件注意事项
  4. 自测记录

1.简介

  • GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的，因此GD32和STM32有很多地方都是一样的，但是GD32和STM32毕竟是不同的产品，不可能将所有东西都沿用STM32的，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方就不说了，下面我着重介绍一下GD32和STM32不同的地方。

2.GD32和STM32的区别
2.1.内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。
图1 STM32F103勘误表
2.2.主频
使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M；
使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M；
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。

2.3.供电
外部供电：GD32外部供电范围是2.63.6V，STM32外部供电范围是23.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

2.4.FLASH差异
GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。（？）
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：当0<SYSCLK<24MHz，0等待周期；当24MHz<SYSCLK≤48MHz，1等待周期；当48MHz<SYSCLK≤72MHz，等2待周期，。
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

2.5.功耗
相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
图2 功耗表

2.6.串口
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。
图3 串口数据位状态
GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式，STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。GD和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。

2.7.ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：
在这里插入图片描述
2.8.FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

2.9.103系列RAM&FLASH大小差别
GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图：
在这里插入图片描述
2.10.抗干扰能力
关于这一点，官方没有给出，我在网上查阅资料时，查阅到一个工程师在做项目的时候偶然发现GD的抗干扰能力不如STM32。项目原本是用STM32F103C8T6，后来换成GD F103C8T6，这两个芯片的引脚完全一致，然后单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚，然后发现STM32的SPI能正常通讯，GD的不行，经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过，信号应该是受到影响了。用示波器看了一下引脚的电平，发现确实是，STM32和GD的数据引脚波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形虽然差了点，但是SPI通讯依然正常。而GD则不能正常通讯了。然后该工程师又把SPI的通讯速率减慢，发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路，而GD则没有。

3.GD32替换STM32注意事项
GD32F103和STM32F103有很多地方是一致，但若想替换，软硬件更改点还是比较多的，下面依次阐述替换中需要注意的点。

3.1.硬件注意事项
1、BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空，这点很重要。
2、RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，ST的有时候可以不要。
3、有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱，可以有如下几种方式解决：
a、线尽可能短一些；
b、降低SWD通讯速率；
c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
4、使用电池供电等，注意GD的工作电压，例如跌落到2.0V~2.6V区间，ST还能工作，GD可能无法启动或工作异常。

3.2.软件注意事项
3.2.1.开发环境
目前公司用STM32F103软件开发软件为Eclipse，而GD32的开发软件是keil，代理商给的移植资料和网上可查询也都是基于keil开发软件进行移植的，用eclipse作为开发软件的参考资料尚未查询到。

3.2.2.所有模块的 GPIO 初始化部分。
GD相对于 ST系列最大的改动在 GPIO 部分，主要有以下三点：
1、GPIO 时钟总线配置区别。
之前 ST 系列的 GPIO ABCDF 都挂在了 APB2 总线上，而 GD 的 GPIO 口都挂在了 AHB 总线上，所以在打开 GPIO ABCDF 的时钟的时候就要注意，如下：
比如使能 GPIOA 时钟：
ST 下配置为：RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA,ENABLE);
GD 下需改为：RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOA,ENABLE);
GPIOB、C、D、F 的时钟使能以此类推。
2、GPIO口复用配置区别。
GD 系列和 ST系列的 IO 口复用配置模式不同。具体对比说明如下：
比如 USART1 的 GPIO 口配置，可以映射到 PA9 和 PA10，也可以映射到 PB6 和 PB7。
（1）ST 配置 USART1 的 GPIO 口，大概过程如下（以 PA9 和 PA10 为例）：
（2）首先使能 USART1、GPIOA 和 AFIO 的时钟。
在这里插入图片描述
（3） 然后配置 PA9 和 PA10 的模式。
在这里插入图片描述

（4）最后配置串口相应参数，这部分和 GD完全相同，就不列出来了。
（5）GD 配置 USART1 的 GPIO 口，大概过程如下（以 PA9 和 PA10 为例）：
（6）首先使能 USART1、GPIOA 的时钟。
在这里插入图片描述
（7）然后配置 PA9 和 PA10 的模式。
如果将 USART1 映射到 PB6 和 PB7，则复用模式配置如下：
在这里插入图片描述
至于为什么 PA9、PA10 映射到 GPIO_AF_1，PB6 和 PB7 映射到 GPIO_AF_0，需要查看 GD的 datasheet，如下图：
在这里插入图片描述
3、GPIO口模式配置
ST系列的 GPIO 口有 8 种模式，如下图：
在这里插入图片描述
而 GD 系列的 GPIO 口配置在 ST 系列的基础上，按输入输出、推挽开漏、上拉下拉模式分成了三个结构体，相较 ST 系列而言，组合方式更加自由，如下图：
在这里插入图片描述
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP ;
GD 系列中，就变成了两条语句：
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;
GPIO_InitStructure.GPIO_OType= GPIO_OType_PP;
又如：ST 系列配置某个 GPIO 口为下拉输入：
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IPD ;
GD 系列中，就变成了：
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN;
GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_DOWN;

3.2.3.外设中断部分
GD 相对于 ST 系列增加了一些模块（如 SYSCFG、TSC、CEC 等），删减了一些模块（如GD只有一个 ADC、最多两路 DMA 等），因此 GD 的中断向量表的名称包括位置相对于 ST系列都有很大改变，很多客户都反映移植中经常遇到的问题就是无法进入中断。

3.2.4.外中断线 EXIT 部分
以配置 PB13 的下降沿中断为例：
ST 的配置如下：
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
GPIO_EXTILineConfig( GPIO_PortSourceGPIOB, GPIO_PinSource13 );
EXTI_ClearITPendingBit( EXTI_Line13 );
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line13;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Falling ;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
GD 的配置如下：
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG, ENABLE);
SYSCFG_EXTILineConfig( EXTI_PortSourceGPIOB, EXTI_PinSource13);
EXTI_ClearITPendingBit( EXTI_Line13 );
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line13;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Falling ;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);

3.2.5.DMA模块
GD和 ST 相比，DMA 模块的配置上完全相同，唯一有区别的是外设的 DMA 通道可能略有差别。下面两张图对比了二者 DMA1 映射的区别：
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
DMA 模块的区别反映在软件代码是就是通道配置的区别，例如 USART1 的 Rx 在 ST 系列中在 DMA1 的通道 5，但是在 GD系列中，缺省模式下映射到 DMA1 的通道 3。如果使用USART1 的 DMA 接收方式，相关配置的修改如下：
ST 中：DMA_Init(DMA1_Channel5, &DMA_InitStructure);
DMA_Cmd(DMA1_Channel5, ENABLE);
GD 中：DMA_Init(DMA1_Channel3, &DMA_InitStructure);
DMA_Cmd(DMA1_Channel3, ENABLE);
以上只是常用的模块的软件移植说明，可能还不够全面，需要后续补充。

4.自测记录
1、硬件改动：仅将DIDO板上芯片stm32f103替换成gd32f103,其余外设无改动；
2、开发软件：Eclipse；
3、测试代码：外扩板工装代码；
4、测试外设：Uart、E2prom、Gpio、I2C、watchdag、adc和Can;
5、测试结果：除Can外，其外设可正常使用，但精度和其它细节仍需继续测试。
由于can不可正常使用，为了定位原因，模拟以下工况。
工况1：ST芯片和国产芯片互发数据。
（1）外扩板工装代码相同，can基础配置一致。
（2）测试结果：国产芯片和ST芯片，建立不起通讯关系，但国产芯片的can可以正产发出数据和收到数据，但ST无法接收到国产芯片传过来的数据。
在这里插入图片描述
图 11 国产芯片发送数据波形
在这里插入图片描述
图 12 国产芯片可以接收数据
（3）为了定位通讯不上原因，测试了ST和GD发送数据的波形。
在这里插入图片描述
图 13 国产芯片波特率
在这里插入图片描述
图 14 ST芯片波特率
can在相同配置下，国产芯片波特率为729.9K，ST芯片波特率为1M，定位原因是因国产芯片和ST芯片主频不一致导致波特率不相同，之后尝试了设置国产芯片和ST芯片波特率，让两者一致，但由于主频不一致，设置的波特率仍有差异，不能完全相同，最后仍未建立起通讯。
工况2：国产芯片和国产芯片互发数据。
（1）外扩板工装代码相同，can基础配置一致。
（2）测试结果：国产芯片和国产芯片，建立不起通讯关系，以下为测试波形。
在这里插入图片描述
图 15 国产收数据
在这里插入图片描述

图 16 国产发数据
波特率虽一致，但仍通讯不上，原因未定位。
数据会有错误！！！

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

工况3：控制器和国产芯片互发数据。
版本信息帧：
在这里插入图片描述
数据帧：
在这里插入图片描述
Runtime模式是可以通讯上的：
在这里插入图片描述
工况4：控制器和ST芯片互发数据。
版本信息帧：
在这里插入图片描述
数据帧：
在这里插入图片描述
工况4：bootloader程序下载不进去。
工况5：ST芯片发送版本信息帧。
软件配置版本：V003B000D000
在这里插入图片描述
回传版本：
在这里插入图片描述
硬件配置版本：0001A36X0001V40002
在这里插入图片描述
对比配置版本和已读回的版本：
在这里插入图片描述
工况6：波特率降至500k。
测试结果：不通过

工况7：修改通讯协议，降低发送速度
测试结果：不通过

工况8：在数据压进邮箱后，加了延迟。
在这里插入图片描述
测试结果：可以正常通讯。

工况9：判断邮箱不为空的标志。
在这里插入图片描述
测试结果：可以正常通讯。

测试结论：
GD的使用st的底层库较老，使用ST最新库时需更改can邮箱选择方式！！！

版权声明：本文为CSDN博主「Peanut」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/Peanut0729/article/details/117510495 

           GD32F103和STM32F103区别介绍

关键词Key words：
GD32F103、STM32F103
摘要Abstract：
本文主要是GD32F103和STM32F103区别进行介绍。

                              目录
  1. 简介
  2. GD32和STM32的区别
    2.1. 内核
    2.2. 主频
    2.3. 供电
    2.4. FLASH差异
    2.5. 功耗
    2.6. 串口
    2.7. ADC差异
    2.8. FSMC
    2.9. 103系列RAM&FLASH大小差别
    2.10. 抗干扰能力
  3. GD32替换STM32注意事项
    3.1. 硬件注意事项
    3.2. 软件注意事项
  4. 自测记录

1.简介

  • GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的，因此GD32和STM32有很多地方都是一样的，但是GD32和STM32毕竟是不同的产品，不可能将所有东西都沿用STM32的，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方就不说了，下面我着重介绍一下GD32和STM32不同的地方。

2.GD32和STM32的区别
2.1.内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。
图1 STM32F103勘误表
2.2.主频
使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M；
使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M；
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。

2.3.供电
外部供电：GD32外部供电范围是2.63.6V，STM32外部供电范围是23.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

2.4.FLASH差异
GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。（？）
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：当0<SYSCLK<24MHz，0等待周期；当24MHz<SYSCLK≤48MHz，1等待周期；当48MHz<SYSCLK≤72MHz，等2待周期，。
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

2.5.功耗
相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
图2 功耗表

2.6.串口
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。
图3 串口数据位状态
GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式，STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。GD和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。

2.7.ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：
在这里插入图片描述
2.8.FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

2.9.103系列RAM&FLASH大小差别
GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图：
在这里插入图片描述
2.10.抗干扰能力
关于这一点，官方没有给出，我在网上查阅资料时，查阅到一个工程师在做项目的时候偶然发现GD的抗干扰能力不如STM32。项目原本是用STM32F103C8T6，后来换成GD F103C8T6，这两个芯片的引脚完全一致，然后单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚，然后发现STM32的SPI能正常通讯，GD的不行，经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过，信号应该是受到影响了。用示波器看了一下引脚的电平，发现确实是，STM32和GD的数据引脚波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形虽然差了点，但是SPI通讯依然正常。而GD则不能正常通讯了。然后该工程师又把SPI的通讯速率减慢，发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路，而GD则没有。

3.GD32替换STM32注意事项
GD32F103和STM32F103有很多地方是一致，但若想替换，软硬件更改点还是比较多的，下面依次阐述替换中需要注意的点。

3.1.硬件注意事项
1、BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空，这点很重要。
2、RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，ST的有时候可以不要。
3、有时候发现用仿真器连接不上。因为GD的swd接口驱动能力比ST弱，可以有如下几种方式解决：
a、线尽可能短一些；
b、降低SWD通讯速率；
c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。
4、使用电池供电等，注意GD的工作电压，例如跌落到2.0V~2.6V区间，ST还能工作，GD可能无法启动或工作异常。

3.2.软件注意事项
3.2.1.开发环境
目前公司用STM32F103软件开发软件为Eclipse，而GD32的开发软件是keil，代理商给的移植资料和网上可查询也都是基于keil开发软件进行移植的，用eclipse作为开发软件的参考资料尚未查询到。

3.2.2.所有模块的 GPIO 初始化部分。
GD相对于 ST系列最大的改动在 GPIO 部分，主要有以下三点：
1、GPIO 时钟总线配置区别。
之前 ST 系列的 GPIO ABCDF 都挂在了 APB2 总线上，而 GD 的 GPIO 口都挂在了 AHB 总线上，所以在打开 GPIO ABCDF 的时钟的时候就要注意，如下：
比如使能 GPIOA 时钟：
ST 下配置为：RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA,ENABLE);
GD 下需改为：RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOA,ENABLE);
GPIOB、C、D、F 的时钟使能以此类推。
2、GPIO口复用配置区别。
GD 系列和 ST系列的 IO 口复用配置模式不同。具体对比说明如下：
比如 USART1 的 GPIO 口配置，可以映射到 PA9 和 PA10，也可以映射到 PB6 和 PB7。
（1）ST 配置 USART1 的 GPIO 口，大概过程如下（以 PA9 和 PA10 为例）：
（2）首先使能 USART1、GPIOA 和 AFIO 的时钟。
在这里插入图片描述
（3） 然后配置 PA9 和 PA10 的模式。
在这里插入图片描述

（4）最后配置串口相应参数，这部分和 GD完全相同，就不列出来了。
（5）GD 配置 USART1 的 GPIO 口，大概过程如下（以 PA9 和 PA10 为例）：
（6）首先使能 USART1、GPIOA 的时钟。
在这里插入图片描述
（7）然后配置 PA9 和 PA10 的模式。
如果将 USART1 映射到 PB6 和 PB7，则复用模式配置如下：
在这里插入图片描述
至于为什么 PA9、PA10 映射到 GPIO_AF_1，PB6 和 PB7 映射到 GPIO_AF_0，需要查看 GD的 datasheet，如下图：
在这里插入图片描述
3、GPIO口模式配置
ST系列的 GPIO 口有 8 种模式，如下图：
在这里插入图片描述
而 GD 系列的 GPIO 口配置在 ST 系列的基础上，按输入输出、推挽开漏、上拉下拉模式分成了三个结构体，相较 ST 系列而言，组合方式更加自由，如下图：
在这里插入图片描述
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP ;
GD 系列中，就变成了两条语句：
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;
GPIO_InitStructure.GPIO_OType= GPIO_OType_PP;
又如：ST 系列配置某个 GPIO 口为下拉输入：
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IPD ;
GD 系列中，就变成了：
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN;
GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_DOWN;

3.2.3.外设中断部分
GD 相对于 ST 系列增加了一些模块（如 SYSCFG、TSC、CEC 等），删减了一些模块（如GD只有一个 ADC、最多两路 DMA 等），因此 GD 的中断向量表的名称包括位置相对于 ST系列都有很大改变，很多客户都反映移植中经常遇到的问题就是无法进入中断。

3.2.4.外中断线 EXIT 部分
以配置 PB13 的下降沿中断为例：
ST 的配置如下：
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
GPIO_EXTILineConfig( GPIO_PortSourceGPIOB, GPIO_PinSource13 );
EXTI_ClearITPendingBit( EXTI_Line13 );
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line13;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Falling ;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
GD 的配置如下：
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG, ENABLE);
SYSCFG_EXTILineConfig( EXTI_PortSourceGPIOB, EXTI_PinSource13);
EXTI_ClearITPendingBit( EXTI_Line13 );
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line13;
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Falling ;
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);

3.2.5.DMA模块
GD和 ST 相比，DMA 模块的配置上完全相同，唯一有区别的是外设的 DMA 通道可能略有差别。下面两张图对比了二者 DMA1 映射的区别：
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
DMA 模块的区别反映在软件代码是就是通道配置的区别，例如 USART1 的 Rx 在 ST 系列中在 DMA1 的通道 5，但是在 GD系列中，缺省模式下映射到 DMA1 的通道 3。如果使用USART1 的 DMA 接收方式，相关配置的修改如下：
ST 中：DMA_Init(DMA1_Channel5, &DMA_InitStructure);
DMA_Cmd(DMA1_Channel5, ENABLE);
GD 中：DMA_Init(DMA1_Channel3, &DMA_InitStructure);
DMA_Cmd(DMA1_Channel3, ENABLE);
以上只是常用的模块的软件移植说明，可能还不够全面，需要后续补充。

4.自测记录
1、硬件改动：仅将DIDO板上芯片stm32f103替换成gd32f103,其余外设无改动；
2、开发软件：Eclipse；
3、测试代码：外扩板工装代码；
4、测试外设：Uart、E2prom、Gpio、I2C、watchdag、adc和Can;
5、测试结果：除Can外，其外设可正常使用，但精度和其它细节仍需继续测试。
由于can不可正常使用，为了定位原因，模拟以下工况。
工况1：ST芯片和国产芯片互发数据。
（1）外扩板工装代码相同，can基础配置一致。
（2）测试结果：国产芯片和ST芯片，建立不起通讯关系，但国产芯片的can可以正产发出数据和收到数据，但ST无法接收到国产芯片传过来的数据。
在这里插入图片描述
图 11 国产芯片发送数据波形
在这里插入图片描述
图 12 国产芯片可以接收数据
（3）为了定位通讯不上原因，测试了ST和GD发送数据的波形。
在这里插入图片描述
图 13 国产芯片波特率
在这里插入图片描述
图 14 ST芯片波特率
can在相同配置下，国产芯片波特率为729.9K，ST芯片波特率为1M，定位原因是因国产芯片和ST芯片主频不一致导致波特率不相同，之后尝试了设置国产芯片和ST芯片波特率，让两者一致，但由于主频不一致，设置的波特率仍有差异，不能完全相同，最后仍未建立起通讯。
工况2：国产芯片和国产芯片互发数据。
（1）外扩板工装代码相同，can基础配置一致。
（2）测试结果：国产芯片和国产芯片，建立不起通讯关系，以下为测试波形。
在这里插入图片描述
图 15 国产收数据
在这里插入图片描述

图 16 国产发数据
波特率虽一致，但仍通讯不上，原因未定位。
数据会有错误！！！

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

工况3：控制器和国产芯片互发数据。
版本信息帧：
在这里插入图片描述
数据帧：
在这里插入图片描述
Runtime模式是可以通讯上的：
在这里插入图片描述
工况4：控制器和ST芯片互发数据。
版本信息帧：
在这里插入图片描述
数据帧：
在这里插入图片描述
工况4：bootloader程序下载不进去。
工况5：ST芯片发送版本信息帧。
软件配置版本：V003B000D000
在这里插入图片描述
回传版本：
在这里插入图片描述
硬件配置版本：0001A36X0001V40002
在这里插入图片描述
对比配置版本和已读回的版本：
在这里插入图片描述
工况6：波特率降至500k。
测试结果：不通过

工况7：修改通讯协议，降低发送速度
测试结果：不通过

工况8：在数据压进邮箱后，加了延迟。
在这里插入图片描述
测试结果：可以正常通讯。

工况9：判断邮箱不为空的标志。
在这里插入图片描述
测试结果：可以正常通讯。

测试结论：
GD的使用st的底层库较老，使用ST最新库时需更改can邮箱选择方式！！！

版权声明：本文为CSDN博主「Peanut」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/Peanut0729/article/details/117510495

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