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在嵌入式应用开发中，经常会遇到掉电后还要保存的信息，这些信息通常只能保存在外部的一些存储芯片中，如外部flash,外部EEPROM, 其实这些信息同样可以保存在STM32自带的内部flash中
一、STM32 的内部 FLASH 简介
在 STM32 芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。
根据用途，STM32 片内的 FLASH 分成两部分：主存储块和信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里；
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用 ISP 方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入 BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。 选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
除了使用外部的工具（如下载器）读写内部 FLASH 外，STM32 芯片在运行的时候，也能对自身的内部 FLASH 进行读写，因此，若内部 FLASH 存储了应用程序后还有剩余的空间，我们可以把它像外部 SPI-FLASH 那样利用起来，存储一些程序运行时产生的需要掉电保存的数据。
由于访问内部 FLASH 的速度要比外部的 SPI-FLASH 快得多，所以在紧急状态下常常会使用内部 FLASH 存储关键记录；为了防止应用程序被抄袭，有的应用会禁止读写内部FLASH 中的内容，或者在第一次运行时计算加密信息并记录到某些区域，然后删除自身的部分加密代码，这些应用都涉及到内部 FLASH 的操作。
二、工程验证
flash工程下载链接：https://pan.baidu.com/s/11Tn8TocHT8qithneDyKFIQ
提取码：pmvn
下载完成后打开文件夹，将路径stm32_Flash\Drivers\CMSIS\Device\ST\STM32F1xx\Include下的system_stm32f1xx_20190722_092746.h文件修改为system_stm32f1xx.h，否则后面编译会报错
修改好后，打开工程，可以将想要存入Flash中的内容修改为自定义内容
uint8_t FlashTest[] = "Hello!631907030123";
编译无报错
进行程序调试前，先完成配置：
注意：下载的工程代码调试用的是硬件 st-link debuger，不是软件仿真，因此用软件仿真做，可能情况略有不同（小编这里软件仿真就没有出现结果）
点击Options->Debug->右边使用硬件ST-Link Debugger
接着点击S T-Link Debugger右边的Settings
进入到Cortex-M Target Driver Setup的Debug页面，其中的Port选择为SW
依次点击Flash Download->勾选Reset and Run->Add->选择STM32F10x Med-density Flash->Add->确定即可
最后点击OK完成硬件配置
由于要连接硬件ST-Link，所以要下载一个STLink驱动，不然下载不成功
链接：https://pan.baidu.com/s/13k0PVQfg5qAHXBKJ2IZiYA
提取码：1234
连线如下图
点击左上角的LOAD按钮将程序下载到STM32中
现在点击dubug按钮，进入硬件仿真调试
点击View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800C000，观察将要修改的flash区间区容：
其中点击某一字符右击可选择显示格式
继续View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口
将变量FlashWBuff 和FlashRBuff加入到Watch 1观察窗口
另外View->勾选Periodic Windows Update，开启变量自动更新
按如图所示的全速运行按钮或者F5
这时就可以看到Watch 1窗口的数组FlashRBuff中的内容与数组FlashWBuff中的内容是一样的
同时在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容
断电后再重新上电进行调试，程序停在main入口处时还可以看到Flash对应区间的内容保持上一次写入内容值
三、小结
完成本次实验内容后，对STM32 的内部 FLASH 有了一定的了解，明白了FLASH 的基本功能后，以后基于STM32的开发就可以省去一些外部FLASH或EEPROM了。
四、参考链接
1.https://blog.csdn.net/zhanglifu3601881/article/details/96632971
2.https://www.eefocus.com/embedded/399467
版权声明：本文为CSDN博主「小小星亮晶晶」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/qq_54496810/article/details/122111191
在嵌入式应用开发中，经常会遇到掉电后还要保存的信息，这些信息通常只能保存在外部的一些存储芯片中，如外部flash,外部EEPROM, 其实这些信息同样可以保存在STM32自带的内部flash中
一、STM32 的内部 FLASH 简介
在 STM32 芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。
根据用途，STM32 片内的 FLASH 分成两部分：主存储块和信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里；
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用 ISP 方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入 BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。 选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
除了使用外部的工具（如下载器）读写内部 FLASH 外，STM32 芯片在运行的时候，也能对自身的内部 FLASH 进行读写，因此，若内部 FLASH 存储了应用程序后还有剩余的空间，我们可以把它像外部 SPI-FLASH 那样利用起来，存储一些程序运行时产生的需要掉电保存的数据。
由于访问内部 FLASH 的速度要比外部的 SPI-FLASH 快得多，所以在紧急状态下常常会使用内部 FLASH 存储关键记录；为了防止应用程序被抄袭，有的应用会禁止读写内部FLASH 中的内容，或者在第一次运行时计算加密信息并记录到某些区域，然后删除自身的部分加密代码，这些应用都涉及到内部 FLASH 的操作。
二、工程验证
flash工程下载链接：https://pan.baidu.com/s/11Tn8TocHT8qithneDyKFIQ
提取码：pmvn
下载完成后打开文件夹，将路径stm32_Flash\Drivers\CMSIS\Device\ST\STM32F1xx\Include下的system_stm32f1xx_20190722_092746.h文件修改为system_stm32f1xx.h，否则后面编译会报错
修改好后，打开工程，可以将想要存入Flash中的内容修改为自定义内容
uint8_t FlashTest[] = "Hello!631907030123";
编译无报错
进行程序调试前，先完成配置：
注意：下载的工程代码调试用的是硬件 st-link debuger，不是软件仿真，因此用软件仿真做，可能情况略有不同（小编这里软件仿真就没有出现结果）
点击Options->Debug->右边使用硬件ST-Link Debugger
接着点击S T-Link Debugger右边的Settings
进入到Cortex-M Target Driver Setup的Debug页面，其中的Port选择为SW
依次点击Flash Download->勾选Reset and Run->Add->选择STM32F10x Med-density Flash->Add->确定即可
最后点击OK完成硬件配置
由于要连接硬件ST-Link，所以要下载一个STLink驱动，不然下载不成功
链接：https://pan.baidu.com/s/13k0PVQfg5qAHXBKJ2IZiYA
提取码：1234
连线如下图
点击左上角的LOAD按钮将程序下载到STM32中
现在点击dubug按钮，进入硬件仿真调试
点击View->memory windows->memory 1打开内存观察窗口，并在地址栏中输入：0x800C000，观察将要修改的flash区间区容：
其中点击某一字符右击可选择显示格式
继续View->Watch windows->Watch 1打开一个变量观察窗口
将变量FlashWBuff 和FlashRBuff加入到Watch 1观察窗口
另外View->勾选Periodic Windows Update，开启变量自动更新
按如图所示的全速运行按钮或者F5
这时就可以看到Watch 1窗口的数组FlashRBuff中的内容与数组FlashWBuff中的内容是一样的
同时在Memory 1窗口中可以看到在FLASH地址0x0800C000区成功写入对应内容
断电后再重新上电进行调试，程序停在main入口处时还可以看到Flash对应区间的内容保持上一次写入内容值
三、小结
完成本次实验内容后，对STM32 的内部 FLASH 有了一定的了解，明白了FLASH 的基本功能后，以后基于STM32的开发就可以省去一些外部FLASH或EEPROM了。
四、参考链接
1.https://blog.csdn.net/zhanglifu3601881/article/details/96632971
2.https://www.eefocus.com/embedded/399467
版权声明：本文为CSDN博主「小小星亮晶晶」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。
原文链接：https://blog.csdn.net/qq_54496810/article/details/122111191
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