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C51单片机

怎么样才能快速学会使用51系列和cygnal系列单片机?

答:建议购买一套ARM的开发学习板和仿真器(可以在网上查到适合自己的),结合教材在实践中学习ARM的基本开发方法。首先可以通过简单的程序编写熟悉ARM的指令集、体系结构、运行模式等基本原理,如果有一定的单片机知识基础,相信很快就能对此熟练掌握。接下来,因为32位ARM的应用大多会使用操作系统,所以此时可根据个人的计算机知识程度选择一个适合自己学习的嵌 入式实时操作系统,多上机实作掌握嵌入式系统设计的基本方法,学习操作系统的应用程序的编程,并进一步掌握包含软硬件的基于ARM的系统应用开发。这一步需要具有高级语言的编程及操作系统知识,可能对非计算机专业的人员会有较大的难度,不过事在人为,相信只要有决心,难关总是可以被攻破的。另外,网上也有很多关于ARM开发的论坛,可以常上去下载相关的学习资料,请教高手,相互交流,相信会有所帮助。

在89C51单片机系统中,外接程序存储器和数据存储器和数据存储器共用16位地址线和8位数据线,会不会发生冲突,并说明为什么不会因为控制信号线的不同?

外扩的RAM芯片既能读出又能写入,所以通常都有读写控制引脚,记为OE和WE。外扩RAM的读、写控制引脚分别与51的RD和WR引脚相连。 外扩的EPROM在正常使用中只能读出,不能写入,故EPROM芯片没有写入控制引脚,只有读出引脚,记为OE,该引脚与51单片机的PSEN相连

89C51单片机的控制总线信号有哪些?各有何作用?

P0口为地址/数据线复用,分时传送数据和低8位地址信息。在接口电路中,通常配置地址锁存器,用ALE信号锁存低8位地址A0~A7,以分离地址信息和数据信息。 P2接口为高8位地址线,扩展外部存储器是传送高8位地址A8~A15。 PSEN为地址程序存储器的控制信号,RD(p3.7)WR(p3.6)为数据存储器和I/O口的读写控制信号,他们是在执行不同指令是由硬件产生不同控制信号

简述 51单片机定时器/计数器工作方式 2的工作过程?

工作方式2:自动重新装入计数初值的8位定时器/计数器工作方式。 工作方式2的16位定时器/计数器被拆成两个8位寄存器TH0和TL0,CPU在对它们初始化时必须装入相同的定时器/计数器初值。定时器/计数器启动后,TL0按8位加1计数器计数,当TL0计数溢出时,置位TF0的同时又从预置寄存器TH0中重新获得计数初值并启动计数。如此反复。适合于需要重复计数的应用场合,也可以当做串行数据通信的波特率发生器使用。

8051片内低 128单元划分为哪三个部分?各部分主要功能是什么?

(1)工作寄存器组(00H——1FH) 这是一个用寄存器直接寻址的区域,内部数据RAM区的0—31,共32个单元。它是4个通用工作寄存器组,每个组包含8个8位寄 存器,编号为R0——R7。 (2)位寻址区(20H——2FH) 16个字节单元,共包含128位,这16个字节单元既可以进行字节寻址,又可以实现位寻址。主要用于位寻址。 (3)堆栈与数据缓冲区(30H——7FH) 用于设置堆栈、存储数据。

简述MSC-51单片机的中断响应过程

产生中断信号,发出中断申请,响应中断,进入中断服务程序,中断返回。 在 MCS—51单片机系统中,当有两个以上的中断源同时提出申请时,CPU到底响应哪一个中断源发出的中断申请, 它们遵循什么原则? MCS—51单片机系统的“内部查询次序”是什么? (1)先响应优先级高的中断请求,再响应优先级低的中断请求。 (2)如果一个中断请求己被响应,同级的其他中断请求将被禁止。 (3)如果同级的多个中断请求同时出现,CPU则按单片机内部的自然优先级顺序响应各中断请求。 外部中断0→定时器0中断→外部中断l→定时器1中断→串行接口中断。

在 MCS—51单片机系统中,发生以下情况时,中断将会受到阻断?

(1)有中断源发出中断请求。 (2)中断总允许控制位EA=l, CPU开放总中断。 (3)申请中断的中断源的中断允许位为1,即该中断没有被屏蔽。 (4)无同级或更高级中断正在服务。 (5)当前指令周期已经结束。 (6)若现行指令为RETI或访问IE或IP指令时,读指令以及紧接着的另一条指令已执行完毕。 满足以上条件,则CPU响应响应中断元的中断请求。

C8051F单片机使用注意事项:由于C8051F单片机是3.3V低功耗、高速单片机,与大家过去应用传统的5V供电低速单片机在引脚处理与PCB布板方面会有一些区别,我们总结了这方面的经验,提供给大家,以避免在应用设计上走弯路。

一、电源和地线方面的处理 1、模拟电源和数字电源要分别供电,可以使用两个稳压源分别供电,但是两个电源之间的电压差必须满足数据手册中的规定(<0.5V,小于0.3V是比较理想的)。实际应用中模拟电源和数字电源可以来自同一个稳压器的输出,只在AV+与VDD之间接简单的滤波器也是很有效的。这里要加一个小电感,也可以用低阻值的电阻(通常2欧姆,电阻要有足够的寄生电感。) 这种方式既能降低成本又能减少体积。(关于这一点可以参考C8051F各种目标板的原理图的电源部分)。 2、在地线方面,模拟地和数字地要分开布线,然后在一点通过磁珠连接,在实际应用中也可以使用0欧姆绕线电阻连接的。该绕线电阻要有寄生电感,另外,在布线时一定要注意地线应该尽可能的粗,或者采用大面积覆地,电源线也要尽量粗,并且在单片机所有电源和地之间以及每个外围集成电路的VDD和GND间加去耦合电容。 3、如果所使用的器件上有模拟电源,模拟地,数字电源和数字地,所有这些引脚不可以悬空,必须连接。 二、在严酷环境下使用C8051F器件时,在PCB设计时应注意那些问题? 在严酷条件下使用C8051F器件时,我们提供给您的一般性建议如下: 1) 在器件的每个电源引脚处放置0.1μF和1.0μF的去耦电容,而且要尽可能地靠近芯片。这一点适用于板上所有的IC(集成电路)。* 2) 尽可能将板上不使用的空间接地,即所谓的大面积覆铜。 3) 在靠近器件外部振荡器引脚处放置外部晶体和其他振荡器元件(如果可行的话)。 4) 使用最短的连线以避免产生“天线”,尤其在下列引脚处:/RST,MONEN,XTAL1,XTAL2,TMS,TCK,TDI和TDO。 5) 应使用一个1k - 4.7k 的电阻将/RST拉为高电平。且应该在/RST走线和地之间设一个0.1uF的去耦电容* 6) 应将MONEN直接接至片上的VDD (首选)或接地。* 7) 将TMS、TCK、TDI 和接固定电平。* 8) 连接至系统电缆或其他电路板上的信号应在PCB的连接点处适当地滤波。 * 避免使这些连接在板上形成大的回路。 三、对JTAG引脚的处理 在电路设计时,JTAG口的TCK要加3.3V上拉。上拉电阻值取4.7K。另外,要考虑到在成品阶段(此时已不需要通过JTAG编程),将TCK.TMS.TDI引脚接地,这样更能提高系统的抗干扰能力,对于提高系统的稳定性是非常主要的。 四、对未用到的IO口/模拟输入口的处理 对未用到的IO口建议:设置为漏极开路;并加固定电平;或设置为推挽方式;未用的模拟输入也要接地(接模拟地)。 五、在电路设计时的IO口/模拟输入口的保护 1、在可能对IO口有瞬态冲击的情况下,一定要对IO口进行保护,如可能会有瞬间大电流,就要在IO口上串接限流电阻,建议取值100欧姆。如有瞬态大电压,就要在IO口上接TVS或快速反应二极管。 2、对在产品中使用的模拟输入引脚的输入电平,要在器件的允许范围值内(具体的参数见数据手册)。一般的ADC的输入电压范围是0V~VREF。同时不可以超过器件的极限参数(见数据手册),否则可能造成永久性损坏。具体的做法可以加两个肖特基二极管到电源和地。 六、对复位引脚/MONEN(电源监视)引脚的处理 1、为了提高系统的抗干扰能力和可靠性,建议不要将复位引脚悬空,推荐电路为:在复位引脚加强上拉,电阻可以选择2~10K,还要加一个0.1uF~10uF的去耦电容。 2、如果接有外部看门狗电路,在调试及下载程序的过程中要将看门狗电路断开 3、如果所使用的芯片上有MONEN引脚,此引脚不要悬空,建议直接接电源(使能MONEN)。 七、外接晶振的注意事项 1、选择质量好的晶振、选择损耗小的晶振电容。 2、X TAL1和XTAL2口不要接入5V电压,在接入CMOS时钟输入时,要注意。 3、晶体振荡电路部分对在PCB的板上布局非常敏感,应将晶体尽可能地靠近器件XTAL引脚,并在晶体引脚接上微调(10PF~33PF)电容。布线应尽可能地短并用地线屏蔽,防止其它引线引入噪声或干扰。 4、晶体外壳最好接地。 5、对于C8051F3XX器件,在外接晶体时,一定不要忘记在晶体两端接10MW的电阻。 6、晶体微调电容的地要接模拟地。 八、焊接温度的注意事项 当使用自动焊接时应严格控制以下参数: 1、温升速率:小于6℃/秒 2、预热区芯片引脚的最大温度:125℃ 3、回流焊的最大温度:建议215℃到220℃(最大值为235℃) 4、芯片通过液态焊料温度状态的时间:30至85秒(建议75秒) 5、最大冷却速率:4℃/秒 如果使用手工焊接,也应注意电烙铁的温度不易过高,与芯片的接触时间不易过长; 关于焊接的详细资料参见附页<<超小型芯片(SMT)焊接指南:QFP和MLP封装器件。 九、编写软件方面的注意事项 1、如使用C51编程,在使用指针变量(对FLASH进行写操作)按如下方式定义: unsigned char xdata *idata(或data) pwrite; 这样做的目的是确保写FLASH的指针的地址被分配在或空间。 2、不用的代码空间全部清为“0”,这可以在程序跑飞后再重新运行。在跳转指令前加两到三个NOP指令。这样也可以在程序跑飞后重新运行。